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田川 雅人*; 横田 久美子*; 古山 雄一*; 神田 一浩*; 戸出 真由美; 吉越 章隆; 寺岡 有殿
no journal, ,
水素化ダイヤモンドライクカーボン(HDLC)薄膜からの水素脱離に関して、真空紫外光と表面酸化膜の効果が調べられた。市販のHDLC基板,外部光源としてニュースバルのBL-6の放射光、及び、D
ランプが用いられた。金属をドープしたHDLC上に約5eVの並進運動エネルギーを持つ超熱酸素原子ビームを照射することで、厚さが数ナノメーターのSiOとTiO薄膜が形成された。それを用いて水素脱離に関する酸化膜の効果が調べられた。SiOとTiOでは水素脱離温度に異なる影響を与える効果があることが確認された。
Cr
Ti
using high-resolution soft X-ray synchrotron radiation photoelectron spectroscopy戸出 真由美; Harries, J.; 寺岡 有殿; 吉越 章隆
no journal, ,
水素の脱離温度特性と表面皮膜の関連を研究するために、熱処理による表面皮膜の変性過程を高分解能軟X線放射光光電子分光法で観測した。実験はSPring-8の原子力機構専用軟X線ビームライン(BL23SU)に設置した表面反応分析装置(SUREAC2000)を用いて行った。自然酸化膜付きのVCrTiと、自然酸化膜上から重水素イオンを注入したVCrTiのSR-XPS測定を行った。非重水素化VCrTiでは373Kから473Kの間、重水素化では473Kから573Kの間で酸化膜が著しく変質することがわかった。重水素イオンを注入することで、自然酸化膜の熱安定性が100度程度安定化することが観測された。
神田 一浩*; 横田 久美子*; 田川 雅人*; 戸出 真由美; 寺岡 有殿; 松井 真二*
no journal, ,
本研究では、真空中でシンクロトロン放射光を照射することによる高水素化ダイヤモンドライクカーボンからの水素脱離を調べた。放射光の照射はニュースバルのBL-6で行われた。放射光エネルギーは赤外から軟X線の領域で、1keV以下である。DLC薄膜中の水素濃度はラザフォード後方散乱(RBS)と弾性反跳粒子検出(ERDA)で決定した。低水素化DLCの水素濃度は軟X線照射量に依存しなかったが、高水素化DLCでは軟X線照射量に対して指数関数的に減少した。これは高水素化DLCでは軟X線の照射で水素の脱離が起こることを意味している。
Ce
)Ni
(Al, Mn, Co)
hydrogen storage alloys阿部 浩之; 米田 安宏; 青根 茂雄*; 内田 裕久*
no journal, ,
水素吸蔵材料であるAB
型のLa-Ni系水素吸蔵合金について、水素貯蔵状態と水素吸放出を繰り返した後の水素放出後の表面構造について、そのミクロスコピックな構造の違いをSPring-8, BL14B1にて調べた。今回対象としたLaNi合金とMmNi合金は両者とも同じ六方晶(P6/mmm)構造であり、これまで水素吸放出を繰り返した場合でも構造変化はどちらも同じであると考えられていた。しかし、本研究のX線局所構造解析により、水素吸蔵初期段階の水素固溶相(
相)から水素化物相(
相)へ移る途中の水素固溶相+水素化物相(+相)までの水素吸蔵量H/M=0.5
1.0程度のエリアでの局所構造がLaNiでは相、+相領域ともにP6/mmmであるのに対し、高い水素吸蔵能をもち、より実用に近い材料であるMmNiでは+相の初期の段階でP6/mmmではなく、Cmmmという異なる空間群を持つことがわかった。
橋之口 道宏*; 角本 雄一; 戸出 真由美; Harries, J.; 岡田 美智雄*; 寺岡 有殿; 笠井 俊夫*
no journal, ,
チタン基合金は、水素貯蔵材料として大変注目されてきた。しかしながら、表面に形成される酸化膜によって表面での水素の解離における初期活性に影響を与えることが問題となっている。したがって、その酸化膜の組成及び構造を理解することは重要である。本研究では、超熱酸素分子線(HOMB)及び放射光X線光電子分光を用いてTiAl合金表面の酸化過程について検証した。
鎌倉 望; 竹田 幸治; 斎藤 祐児; 山上 浩志
no journal, ,
本研究では高容量水素貯蔵材料としての可能性を持つリチウムアミドの電子状態を軟X線発光・吸収分光によって調べた。実験はSPring-8 BL27SUにおいて行い、N 1s吸収分光と光エネルギー425eVによる発光分光測定から、リチウムアミドにおいてHとLiに直接結合しているN 2pの占有準位,非占有準位の部分状態密度を調べた。実験によって得られた軟X線発光・吸収スペクトルには絶縁体であるリチウムアミドのバンドギャップが占有準位と非占有準位の間に観測されており、発光スペクトルで得られた占有準位のN 2p部分状態密度は3ピークが価電子帯topから8eVの範囲に広がっている。これまでに報告されているリチウムアミドの電子状態に関する幾つかの理論計算では、Liとアミドの間がアミドへの電荷移動を伴ったイオン結合であり、占有準位はおもにアミド基内におけるNとHの共有結合によって形成されていることが示されている。今回実験的に得られたN 2p部分状態密度の特徴は、報告されているこれらの理論計算と一致した傾向を示している。また計算による部分状態密度との比較から、発光スペクトルで観測されている高結合エネルギー側の状態はNとHの結合状態であると考えることができる。発表ではリチウムアミドにおけるLiとアミドとの相互作用や高結合エネルギー側に観測されているアミド内でのNとHとの結合状態について議論する。